





在氧化層中大部分的電荷效應是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關的。在800—1250~C的溫度范圍內,用干氧、濕氧或水汽進行的熱氧化過程有三個持續的階段,首先是環境氣氛中的氧進入到已生成的氧化層中,無錫鋁鈍化,然后氧通過二氧化硅向內部擴散,當它到達Si02-Si界面時就同硅發生反應,形成新的二氧化硅。這樣不斷發生著氧的進入—擴散—反應過程,使靠近界面的硅不斷轉化為二氧化硅,鋁鈍化廠家,氧化層就以一定的速率向硅片內部生長。

另一方面,界面層中的氫離子也要向陰極遷移,溶液中的負離子(包括OH-)向陽極遷移。結果,陽極附近有OH-離子和其他負離子富集。隨著電解反應的延續,處于緊鄰陽極界面的溶液層中,鋁鈍化好不好,電解質濃度有可能發展到飽和或過飽和狀態。于是,鋁鈍化哪家好,溶度積較小的金屬氫氧化物或某種鹽類就要沉積在金屬表面并形成一層不溶性膜

于是,就要增大電極的電流密度,電極的電位會變得更正。這就有可能引起OH-離子在電極上放電,其產物(如OH)又和電極表面上的金屬原子反應而生成鈍化膜。分析得知大多數鈍化膜由金屬氧化物組成(如鐵之Fe3O4),但少數也有由氫氧化物、鉻酸鹽、磷酸鹽、硅酸鹽及難溶硫酸鹽和氯化物等組成。
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