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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，湖南貴金屬復合材料，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
導電橡膠能夠提供較高的打印密度。但導電橡膠的導電率是如此之高，以致其不能對色粉充電至較高程度。當僅僅將由金屬氧化物組成的無機填料(D)作為填料與橡膠組分(A)混合時，貴金屬復合材料加工技術，導電橡膠能夠得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能將色粉充電至較高程度，因此不能提供足夠的打印密度。如上所述，在獨立地將填料(B)至(D)與橡膠組分(A)混和時，必須大量使用填料。
背靶材料：
無氧銅(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是無氧銅，因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。 如果保養適當，無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。
鉬(Mo)– 在某些使用條件比較特殊的情況下，貴金屬復合材料廠家，如需要進行高溫帖合的條件下，貴金屬復合材料加工，無氧化銅容易被氧化和發生翹曲， 所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。
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第9年
