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但是靶材制作困難,這是因為氧化銦不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑,能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材,這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。日本的科學家采用Bizo作為添加劑,宿州2N金靶材,Bi2O3在820Cr熔化,在l500℃的燒結溫度超出部分已經揮發,這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒,這樣可以簡化前期的工序。

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