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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，上海貴金屬靶材，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。
此外，貴金屬靶材多少錢，采用連續硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。
采用連續硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，貴金屬靶材誰家好，這可能會影響電子導電性填充劑的分散。
在深加工產品這一領域，如何來提升產品的技術含量和檔次，納米技術、納米材料的科學研究，實踐應用是這個產業向產業化發展的方向，成為當代關注和競爭的主要課題。
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第9年
