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安徽譜純氣體科技有限公司
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隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大，光伏發電累計裝機容量不斷上升，高純四氟化碳，預計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。
四氟化碳的用途與作用 :
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環境下是相對惰性的，四氟化碳，在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環境中，氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制（如半導體各項異性控制）。
預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，四氟化碳公司，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，四氟化碳批發，使反應繼續進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。
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第8年
