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主營：單片機,MOS,大電流mos
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| 先生： |
MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，臺州中低壓mos，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
發(fā)熱情況有：
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，中低壓mos廠家，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的非常忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴重，中低壓mos萬芯半導體，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
mos管有的時候也稱作絕緣柵場效應管，因為它歸屬于場效應管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，WP中低壓mos，是一種能夠普遍應用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異，可分成“N型”與“P型”的兩個類型，也就是常說的Nmos、Pmos。
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第4年
