場效應(yīng)管與三極管的區(qū)別：

1.場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，在性能方面，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場效應(yīng)管會(huì)明顯提升整體性能；

2.場效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的；

3.場效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時(shí)要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；三極管是雙極型管子，即管子工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與；

4.場效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會(huì)有輸出電流；三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會(huì)有輸出電流；

5.場效應(yīng)管輸入阻抗大；三極管輸入阻抗小；

6.場效應(yīng)管的頻率特性不如三極管；

7.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級；

8.信號源電流小應(yīng)該選用場效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，WP中低壓mos，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

半導(dǎo)體工藝制程不斷縮小，MOS器件尺寸隨之不斷減小，當(dāng)達(dá)到納米級別后，受功耗密度、散熱效率等因素影響，傳統(tǒng)MOS器件出現(xiàn)一系列性能問題，性能與可靠性會(huì)退化，無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米線MOS器件具有優(yōu)良的柵控能力，在保持性能與可靠性方面更具優(yōu)勢，且具有良好的CMOS工藝兼容能力，因此成為MOS器件的重要發(fā)展方向。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，中低壓mos價(jià)格，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管在開關(guān)電路里面起到的作用就是控制電路的通斷和信號的轉(zhuǎn)換。MOS管大致可分為兩大類：N溝道和P溝道。

在N溝道MOS管電路里，BEEP引腳是高電平就可以導(dǎo)通使得蜂鳴器響應(yīng)，低電平則是關(guān)閉蜂鳴器。P溝道MOS管來控制GPS模塊電源的通斷，GPS_PWR引腳是低電平的時(shí)候?qū)ǎ珿PS模塊則正常地供電，高電平時(shí)使得GPS模塊斷電。

P溝道MOS管在N型硅襯底上P+區(qū)有兩個(gè)：漏極和源極。這兩極彼此之間并不通導(dǎo)，當(dāng)在接地時(shí)源極上加有足夠的正電壓，柵極下面的N型硅表面就會(huì)浮現(xiàn)出P型的反型層，變成連接漏極和源極的溝道。改變柵極的電壓可以使溝道里的空穴密度發(fā)生變化，因此來改變溝道電阻。這種就被稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。

NMOS的特性，Vgs只要大于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用在源極接地的低端驅(qū)動(dòng)的情況下，前提是柵極的電壓達(dá)到4V或著10V就行。

PMOS的特性，中低壓mos，與NMOS相反，在Vgs只要小于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)高i端驅(qū)動(dòng)的情況下。但是，中低壓mos公司，由于替換種類少，導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴等原因，盡管PMOS可以非常方便地用作在高i端驅(qū)動(dòng)的情況下，所以在高i端驅(qū)動(dòng)中，一般都還是使用NMOS。

總的來說，MOS管有著很高的輸入阻抗，在電路中方便直接耦合，比較容易制作成為規(guī)模大的集成電路 。